電阻率是半導體的重要參數(shù)之一。半導體材料的電阻率范圍介于金屬和絕緣體之間，其特性和性能受到多種因素的影響。

溫度、摻雜濃度、結構和晶粒尺寸以及負載效應都對半導體的電阻率有顯著影響。半導體材料的電阻率特殊范圍在集成電路、

光電子器件等領域具有廣闊的應用前景，促進了現(xiàn)代電子技術和信息社會的發(fā)展。

半導體最常見的應用有：集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應用和大功率功率功率轉換等領域。

在光的作用下，半導體材料吸收入射光子的能量。如果光子能量大于或等于半導體材料的帶隙寬度，則電子空穴對被激發(fā)，

導致載流子濃度增加、半導體導電性增加和電阻降低。這種現(xiàn)象被稱為光電導效應。

溫度對本征半導體的影響主要是由于遷移率的降低，這會影響導電性。

（然而，對于摻雜半導體來說，這可能會很麻煩，并影響遷移率和電荷載流子。）。

光照激發(fā)會產(chǎn)生光生非平衡載流子，改變載流子濃度以產(chǎn)生額外的導電性。（但遷移率基本保持不變）