在生活中，您可能接觸過各種電子產(chǎn)品，然后您可能不知道其中的某些組件，例如其中可能包含的**，然后讓編輯者帶領(lǐng)所有人學(xué)習(xí)有關(guān)n溝道MOSFET的知識。

半橋功率級模塊。

幾天前，Vishay Intertechnology，Inc.（紐約證券交易所股票代碼：VSH）宣布推出一種新的30 V n溝道MOSFET半橋功率級模塊-SiZF300DT，該模塊結(jié)合了高端TrenchFET＆reg;。

和低側(cè)SkyFET＆reg;帶有集成肖特管的MOSFET將基極二極管組合在一個小型PowerPAIR＆reg; reg;中。

3.3毫米x 3.3毫米包裝。

Vishay Siliconix SiZF300DT可提高功率密度和效率，同時有助于減少組件數(shù)量，簡化設(shè)計并適用于計算和通信應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換。

NMOS在英語中被稱為N-金屬-氧化物-半導(dǎo)體。

這意味著N型金屬氧化物半導(dǎo)體，具有這種結(jié)構(gòu)的晶體管稱為NMOS晶體管。

MOS晶體管分為P型MOS晶體管和N型MOS晶體管。

由MOS管組成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS管組成的電路稱為NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路稱為PMOS集成電路，由NMOS和PMOS管組成的互補MOS電路稱為CMOS電路。

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幾天前發(fā)布的器件中的兩個MOSFET內(nèi)部連接成半橋配置。

通道1 MOSFET在10 V和4.5 V時的最大導(dǎo)通電阻分別為4.5 mW和7.0 mW。

通道2 MOSFET在10 V和4.5 V時的導(dǎo)通電阻分別為1.84 mW和2.57 mW。

兩個MOSFET的典型柵極電荷分別為6.9 nC和19.4 nC。

NMOS的特性Vgs大于某個值時，它將導(dǎo)通，適用于源極接地（低側(cè)驅(qū)動）的情況，只要柵極電壓達到4V或10V。

PMOS的特性，Vgs小于某個值，它將被打開，適用于將源連接到VCC（高端驅(qū)動器）的情況。

但是，盡管PMOS可以方便地用作高端驅(qū)動器，但由于導(dǎo)通電阻高，價格高，替換類型少，NMOS通常用于高端驅(qū)動器。

與具有類似導(dǎo)通電阻的雙芯片器件的6mm x 5mm封裝相比，SiZF300DT節(jié)省了65％的空間，并且是市場上最緊湊的集成產(chǎn)品之一。

該器件為設(shè)計人員提供了一種節(jié)省空間的解決方案，用于負載點（POL）轉(zhuǎn)換，電源和用于圖形加速器，計算機，服務(wù)器以及通信和RF網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的同步降壓和DC / DC轉(zhuǎn)換器。

在具有低摻雜濃度（提供大量可移動空穴）的P型硅襯底上，形成兩個高摻雜濃度N +區(qū)域（N +區(qū)域具有大量的電子源，這些電子源為電流提供自由電子），并且用金屬鋁引出兩個電極，分別是漏極D和源極S。

然后在半導(dǎo)體表面上覆蓋一層薄的二氧化硅（SiO2）絕緣層，并在漏極和源極之間的絕緣層上安裝鋁電極（通常是多晶硅）作為柵極G。

襯底，它構(gòu)成一個N溝道增強模式MOS管。

MOS管的源極和襯底通常連接在一起（大多數(shù)管在出廠前已連接）。

雙MOSFET采用獨特的引腳配置結(jié)構(gòu)，電流相輸出電流比具有相同封裝的同類產(chǎn)品高11％。

此外，當(dāng)輸出電流超過20 A時，它具有更高的效率。

器件引腳配置和大的PGND焊盤還可增強散熱，優(yōu)化電路并簡化PCB布局。

相信通過閱讀以上內(nèi)容，每個人都對n溝道MOSFET半橋功率級模塊有了初步的了解。

同時，我希望每個人都能在學(xué)習(xí)過程中進行總結(jié)，以不斷提高他們的設(shè)計水平。