半導(dǎo)體中存在兩種載流子，即價帶中的空穴和導(dǎo)帶中的電子。

主要由電子傳導(dǎo)構(gòu)成的半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體，空穴傳導(dǎo)半導(dǎo)體則相反。

它被稱為P型半導(dǎo)體。

＆QUOT; N＆QUOT;意味著負面力量的含義，取自英語否定的第一個字母。

在這種半導(dǎo)體中，導(dǎo)電（即導(dǎo)電載流子）主要是來自半導(dǎo)體中的施主的帶負電荷的電子。

摻雜施主雜質(zhì)或比受體更多的施主的半導(dǎo)體是N型半導(dǎo)體。

例如，諸如鍺或硅的半導(dǎo)體，其含有適量的五價元素，例如砷，磷或銻。

由于N型半導(dǎo)體中的正電荷量和負電荷量相等，所以N型半導(dǎo)體是電中性的。

自由電子主要由雜質(zhì)原子提供，空穴通過熱激發(fā)形成。

摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度越高，電導(dǎo)率越強。

摻雜和缺陷都會導(dǎo)致導(dǎo)帶中電子濃度的增加。

對于鍺和硅基半導(dǎo)體材料，摻雜有V族元素（磷，砷，銻等），當(dāng)雜質(zhì)原子以取代方式取代晶格中的鍺時。

在硅原子的情況下，可以提供除共價鍵的配位之外的過量電子，這導(dǎo)致半導(dǎo)體中的導(dǎo)帶的電子濃度增加，其通常被稱為a的供體。

供體III-V族化合物半導(dǎo)體。

使用IV或VI元素。

某些氧化物半導(dǎo)體，例如ZnO，Ta2O5等，通常表現(xiàn)出缺氧，并且這些氧空位可以表現(xiàn)出供體的作用。

因此，這種氧化物通常是電子導(dǎo)電的，即它是N型半導(dǎo)體，它通過真空加熱以進一步提高氧缺乏程度，這表現(xiàn)為更強的電子傳導(dǎo)性。